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DMC62D0SVQ中文资料COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
DMC62D0SVQ |
参数属性 | DMC62D0SVQ 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T\u0026R |
功能描述 | COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-28 9:06:00 |
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DMC62D0SVQ规格书详情
简介
DMC62D0SVQ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的DMC62D0SVQ晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
:DMC62D0SVQ
- 生产厂家
:Diodes
- Automotive Compliant PPAP
:Yes
- Polarity
:N+P
- ESD Diodes
:Yes Y/N
- VDS
:60/50 V
- VGS
:20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
:0.304 A
- IDS @ TC = +25°C
:N/A A
- PD @ TA = +25°C
:0.84 W
- PD @ TC = +25°C
:N/A W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
:1700 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
:3000 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
:N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
:N/A mΩ
- VGS (th) Max
:2.5 V
- CISS Typ
:30 pF
- CISS Condition [@VDS]
:25 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
:0.4 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
:N/A
- Packages
:SOT563
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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