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DMC62D0SVQ中文资料COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMC62D0SVQ

参数属性

DMC62D0SVQ 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T\u0026R

功能描述

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T\u0026R

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 9:06:00

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DMC62D0SVQ规格书详情

简介

DMC62D0SVQ属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的DMC62D0SVQ晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DMC62D0SVQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Polarity

    :N+P

  • ESD Diodes

    :Yes Y/N

  • VDS

    :60/50 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.304 A

  • IDS @ TC = +25°C

    :N/A A

  • PD @ TA = +25°C

    :0.84 W

  • PD @ TC = +25°C

    :N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :1700 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :3000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2.5 V

  • CISS Typ

    :30 pF

  • CISS Condition [@VDS]

    :25 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :0.4 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :N/A

  • Packages

    :SOT563

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