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SI8606AD-B-IS	文件：718.08 Kbytes Page：39 Pages	BidirectionalI2CIsolatorswithUnidirectionalDigitalChannels KEYFEATURES •Independent,bidirectionalSDAandSCL isolationchannels •Opendrainoutputswith35mAsink current •SupportsI2Cclocksupto1.7MHz •Unidirectionalisolationchannelssupport additionalsystemsignals(Si8605,Si8606) •Upto5000VRMSisolation •UL,CSA,VDE,CQC	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
TPAD8606ARZ	文件：3.19031 Mbytes Page：6 Pages	10MHz,LowPower,CMOS,RailtoRailOperationalAmplifier Features «GeneralPurpose,LowCost GainBandwidthProduct:10MHz «LowInputBiasCurrent:10pA(Typ.) oLowOffsetVoltage:5mV(Max.) oQuiescentCurrent:800pAperAmplifier(Typ.) «UnityGainStable oRail-to-RailInputandOutput «SupplyVoltageRange:2.2Vto5.5V	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
TPCP8606	文件：306.64 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconPNPEpitaxialType Applications •High-SpeedSwitching •DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(VCE=-2V,IC=-0.4A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=-0.22V(max)(IC=-1.2A,IB=-0.12A) (3)High-speedswitching:tf=35ns(typ.)(IC=-1.2A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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SI8606AD-B-IS

文件：718.08 Kbytes

Page：39 Pages

BidirectionalI2CIsolatorswithUnidirectionalDigitalChannels

KEYFEATURES •Independent,bidirectionalSDAandSCL isolationchannels •Opendrainoutputswith35mAsink current •SupportsI2Cclocksupto1.7MHz •Unidirectionalisolationchannelssupport additionalsystemsignals(Si8605,Si8606) •Upto5000VRMSisolation •UL,CSA,VDE,CQC

SKYWORKSSkyworks Solutions Inc.

思佳讯美国思佳讯公司

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10MHz,LowPower,CMOS,RailtoRailOperationalAmplifier

Features «GeneralPurpose,LowCost GainBandwidthProduct:10MHz «LowInputBiasCurrent:10pA(Typ.) oLowOffsetVoltage:5mV(Max.) oQuiescentCurrent:800pAperAmplifier(Typ.) «UnityGainStable oRail-to-RailInputandOutput «SupplyVoltageRange:2.2Vto5.5V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

TECHPUBLIC

TPCP8606

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BipolarTransistorsSiliconPNPEpitaxialType

Applications •High-SpeedSwitching •DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=100to200(VCE=-2V,IC=-0.4A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=-0.22V(max)(IC=-1.2A,IB=-0.12A) (3)High-speedswitching:tf=35ns(typ.)(IC=-1.2A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

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