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GKB631B	文件：181.09 Kbytes Page：2 Pages	Multi-LinkBluetoothKeyboardwithStow-AwayStand	IOGEAR iogear	IOGEAR
GM631	文件：43.41 Kbytes Page：3 Pages	GrippingMaterial	3M 3M Electronics	3M
HS631K	文件：192.82 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS Lowfrequencypoweramplifier，MediumSeedswitching.	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
I631	文件：53.71 Kbytes Page：3 Pages	5mmx7mmCeramicLowNoiseSMDVCXO,LVCMOS/LVPECL/LVDS	ILSI ILSI America LLC	ILSI
IPC-631	文件：945.12 Kbytes Page：2 Pages	4UFrontI/OShortDepthRackmountChassisforATX/MicroATXMotherboard Features AllI/Oports,buttons,LEDs,drivebays,ACinletlocatedonthefrontside 350mmshortdepth SupportsATX/MicroATXMBwithCPUTDPupto120W Built-in500Wor700Wsinglepowersupply Optionalmodulefordualhot-swap2.5drivebaysforRAID0,1 PWMcontrolled	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IRF631	文件：177.14 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF631	文件：45.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF631	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF631	文件：106.61 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,12A,150-200V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VQSRatedat±20V ●	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF631	文件：854.87 Kbytes Page：2 Pages	FIELDEFFECTPOWERTRANSISTOR	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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