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DLA11C-TR-E中文资料DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD数据手册ONSEMI规格书
DLA11C-TR-E规格书详情
简介
DLA11C-TR-E属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的DLA11C-TR-E二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动，并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管（包括齐纳二极管和可变电容二极管）单独列在各自的产品系列中，每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。
技术参数
更多- 制造商编号
：DLA11C-TR-E
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
：200V
- 电流 - 平均整流（Io）
：1.1A
- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf
：980mV @ 1.1A
- 速度
：快速恢复 = 200mA（Io）
- 反向恢复时间（trr）
：50ns
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
：10µA @ 200V
- 不同 Vr，F 时的电容
：-
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：2-SMD，J 形引线
- 供应商器件封装
：SMD
- 工作温度 - 结
：150°C（最大）
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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