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Si4737	文件：194.96 Kbytes Page：24 Pages	BROADCASTMULTI-BANDRADIORECEIVER	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4737	文件：2.08176 Mbytes Page：68 Pages	Si470X/1X/2X/3X/4XEVALUATIONBOARDTESTPROCEDURE Introduction ThepurposeofthisdocumentistodescribethetestproceduresusedinSiliconLaboratoriesfortheSi470x/1x/2x/3x/4xevaluationboards(EVB).ItisalsointendedtoenablecustomerstoexactlyreplicateSiliconLaboratories’testenvironmentsothatvariancesincustomers’andS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
Si4737	文件：10.08153 Mbytes Page：164 Pages	ThankyouforpurchasingtheSiliconLaboratories	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4737	文件：1.94276 Mbytes Page：69 Pages	Si47XXANTENNA,SCHEMATIC,LAYOUT,ANDDESIGNGUIDELINES Introduction ThisdocumentprovidesgeneralSi47xxdesignguidelinesandAM/FM/SW/LW/WBantennaselectionswhichincludesschematic,BOM,layoutanddesignchecklist.AllusersshouldfollowtheSi47xxdesignguidelinespresentedinSection2andthenuserscanproceedtotheappropriateantenn	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4737	文件：3.97516 Mbytes Page：302 Pages	Si47XXPROGRAMMINGGUIDE	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SMA4737	文件：318.18 Kbytes Page：4 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode VOLTAGE6.2V~100V ●FEATURES .Forsurfacemountedapplications .1.0Wpowerdissipation .Lowreversecurrent .Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses .Epitaxialconstruction	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4737	文件：332.95 Kbytes Page：3 Pages	1.0WattsSurfaceMountZenerDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SMA4737A	文件：194.2 Kbytes Page：3 Pages	ZenerDiodes ■Features ●Ptot1.0W ●Vz3.3V-100V ■Applications ●StabilizingVoltage	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE
SMA4737A	文件：149.04 Kbytes Page：5 Pages	SMA4728A-SZ1330ASeriesVZ:3.3To330VPD:1W Features ◆Glasspassivatedchip ◆Lowleakage ◆Built-instrainrelief ◆Lowinductance ◆Highpeakreversepowerdissipation ◆Lead-Freecomponent ◆Foruseinstabilizingandclippingwithhighpowerrating	SOCAYSocay Electornics Co., Ltd. 硕凯电子硕凯电子股份有限公司	SOCAY
SMA4737A	文件：352.45 Kbytes Page：3 Pages	1WGLASSPASSIVATEDJUNCTIONSILICONZENERDIODE FEATURES ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●Built-instrainrelief ●Lowinductance ●Highpeakreversepowerdissipation ●Lead(Pb)-freecomponent ●Foruseinstabilizingandclippingcircuitswithhighpower	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI

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