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DGTD120T25S1PT分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

DGTD120T25S1PT

参数属性

DGTD120T25S1PT 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

功能描述

FIELD STOP IGBT IN TO-247
IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

封装外壳

TO-247-3

文件大小

1.35711 Mbytes

页面数量

10

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-13 23:00:00

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DGTD120T25S1PT规格书详情

DGTD120T25S1PT属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由美台半导体制造生产的DGTD120T25S1PT晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DGTD120T25S1PT

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    1.44mJ(开),550µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    73ns/269ns

  • 测试条件:

    600V,25A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K

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