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DG50Q12T2	文件：484.19 Kbytes Page：9 Pages	1200V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as Solar Power and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  10μs short circuit capability  Low switching loss  Maximum 文件：484.19 Kbytes 页数：9 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
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DG538ADN	文件：0 bytes Page：0 Pages	PLCC	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司上传：富凯科技(深圳）有限公司	VISHAY
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DG8065101533700	文件：0 bytes Page：0 Pages	-	INTEL(英特尔) 上传：深圳市盈慧通电子有限公司	INTEL(英特尔)

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