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DG50H12T2	文件：660.04 Kbytes Page：12 Pages	1200V/50A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC 文件：660.04 Kbytes 页数：12 Pages	STARPOWER 斯达半导体	STARPOWER
DG50H12T2	文件：300 bytes Page：1 Pages	分立器件	StarPower 斯达半导体	StarPower
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更多DG50H12T2供应商更新时间2026-1-31 13:01:00