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FKBL408	文件：93.78 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
FL408	文件：48.27 Kbytes Page：2 Pages	IN-LINEMINIATURESINGLEPHASESILICONBRIDGE(VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-4.0Amperes) FEATURES •PlasticmaterialhasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O •Idealforprintedcircuitboard •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique •Surgeoverloadrating:200Amperespeak •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohs	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
FL408	文件：135.08 Kbytes Page：2 Pages	IN-LINEMINIATURESINGLEPHASESILICONBRIDGE VOLTAGE-50to800VoltsCURRENT-4.0Amperes FEATURES ●Surgeoverloadrating:200Amperespeak ●Idealforprintedcircuitboard ●PlasticpackagehasUnderwriterLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechnique	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
FL408	文件：56.51 Kbytes Page：2 Pages	IN-LINEMINIATURESINGLEPHASESILICONBRIDGERECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
FR408	文件：1.35533 Mbytes Page：28 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ09312Bisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
FR408	文件：899.04 Kbytes Page：12 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312BisahighefficiencyInGaPHBTamplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitableforapplications	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
FR408	文件：640.44 Kbytes Page：19 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
FR408	文件：342.39 Kbytes Page：10 Pages	HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA25312Bisa2-stagehighefficiencyInGaPHBTdriveramplifierdesignedforusein2400MHzISMapplications,WLAN(802.11g),WiMAX(802.16e)andwirelessbroadbandmeshnetworks.Itissuitablef	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
FRJAE-408	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY,6POSITIONAND8POSITION	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL
FRJAE-408	文件：117.17 Kbytes Page：1 Pages	FRJAEASSEMBLY6POSITION&8POSITIONWITHORWITHOUTFERRITESSINGLEPORTHIGHTEMPMATERIAL	AMPHENOLAmphenol Corporation 安费诺集团美国安费诺集团	AMPHENOL

详细参数

型号：
DG408EUE-T
功能描述：
多路器开关 IC
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
通道数量：
1
开关数量：
4
开启电阻（最大值）：
7 Ohms
传播延迟时间：
0.25 ns
工作电源电压：
2.3 V to 3.6 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
UQFN-16

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更多DG408EUE-T供应商更新时间2025-5-16 17:49:00

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