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DG2617DN-T1-E4	文件：161.65 Kbytes Page：10 Pages	Low Voltage, Dual SPDT Analog Switch with Charge Pump FEATURES •Lowvoltageoperation(1.5Vto3.6V) •Lowon-resistance-RON:4.2Ωtyp.at2.7V •Fastswitching:tON=39ns tOFF=8ns •DFN-10package BENEFITS •Reducedpowerconsumption •Highaccuracy •Reduceboardspace •TTL/1.8Vlogiccompatible •Highbandwidth APPLIC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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DG2617DN-T1-E4

文件：161.65 Kbytes

Page：10 Pages

Low Voltage, Dual SPDT Analog Switch with Charge Pump

FEATURES •Lowvoltageoperation(1.5Vto3.6V) •Lowon-resistance-RON:4.2Ωtyp.at2.7V •Fastswitching:tON=39ns tOFF=8ns •DFN-10package BENEFITS •Reducedpowerconsumption •Highaccuracy •Reduceboardspace •TTL/1.8Vlogiccompatible •Highbandwidth APPLIC

VishayVishay Siliconix

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DG2617DN-T1-E4

文件：151.8 Kbytes

Page：9 Pages

Low Voltage, Dual SPDT Analog Switch with Charge Pump

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Vishay

详细参数

型号：
DG2617DN-T1-E4
功能描述：
模拟开关 IC Low Volt Dual SPDT w/Charge Pump
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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更多DG2617DN-T1-E4供应商更新时间2025-5-23 10:03:00

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