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B2011ERU	文件：281.94 Kbytes Page：2 Pages	B2000ERUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RU	文件：276.35 Kbytes Page：4 Pages	B2000RUSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RU	文件：275.77 Kbytes Page：4 Pages	4:1InputRange,20WSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RUI	文件：227.61 Kbytes Page：2 Pages	B2000RUISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RUI	文件：226.79 Kbytes Page：2 Pages	Compact,HighIsolation4:1InputRange,20WDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RW	文件：287.29 Kbytes Page：2 Pages	B2000RWSERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
B2011RW	文件：261.56 Kbytes Page：2 Pages	Compact1x2Inch20WWideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
BGA2011	文件：83.75 Kbytes Page：12 Pages	900MHzhighlinearlownoiseamplifier DESCRIPTION SiliconMonoliticMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)amplifierconsistingofanNPNdoublepolysilicontransistorwithintegratedbiasingforlowvoltageapplicationsina6-pinSOT363plasticSMDpackage. FEATURES •Lowcurrent,lowvoltage •Highlinearity •Highpowergain •	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BGA2011	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BMS-2011	文件：90.95 Kbytes Page：1 Pages	BMS-1811	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
BQ2011	文件：181.29 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011	文件：603.95 Kbytes Page：26 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2011K	文件：234.3 Kbytes Page：22 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
BQ2011K	文件：175.07 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011KSN	文件：234.3 Kbytes Page：22 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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BQ2011KSN-N	文件：175.07 Kbytes Page：20 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
BQ2011SN	文件：204.13 Kbytes Page：21 Pages	GasGaugeICforHighDischargeRates	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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详细参数

型号：
DG2011DX
功能描述：
模拟开关 IC SPDT Analog Switch
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DG2011DX供应商更新时间2024-5-22 14:30:00

详细参数

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