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DG160X07T2

650V/160A IGBT with Diode

General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC

文件:566.1 Kbytes 页数:12 Pages

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更多DG160X07T2供应商 更新时间2026-2-9 10:34:00