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DFN1006B-3	文件：842.53 Kbytes Page：12 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 47 k廓 General description PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC114YMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件：842.53 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：617.19 Kbytes Page：12 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = open General description PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC114TMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件：617.19 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：845.94 Kbytes Page：12 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓 General description PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC114EMB Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias transistors ■ 文件：845.94 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：836.02 Kbytes Page：13 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 General description PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC123EMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件：836.02 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：842.86 Kbytes Page：12 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓 General description PNP Resistor-Equipped Transistor (RET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PDTC123JMB. Features and benefits ■ 100 mA output current capability ■ Reduces component count ■ Built-in bias resistors ■ 文件：842.86 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：721.05 Kbytes Page：12 Pages	NPN resistor-equipped transistor; R1 = 22 k廓, R2 = open 文件：721.05 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：755.37 Kbytes Page：13 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓文件：755.37 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：616.56 Kbytes Page：12 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k廓, R2 = open 文件：616.56 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
DFN1006B-3	文件：628.36 Kbytes Page：13 Pages	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓文件：628.36 Kbytes 页数：13 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA

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