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DF5G6M4N中文资料ESD protection diode (bi-directional type)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

DF5G6M4N

参数属性

DF5G6M4N 封装/外壳为5-XFDFN;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;DF5G6M4N应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 15VC 5DFN

功能描述

ESD protection diode (bi-directional type)

封装外壳

5-XFDFN

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 17:05:00

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DF5G6M4N规格书详情

描述 Description

Internal Connection:Flow through
Number of Circuits:4
Number of Protected Lines:4
configuration:Bidirectional
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-20 kV
Peak pulse current (IEC61000-4-5) IPP 2 A

技术参数

  • 制造商编号

    :DF5G6M4N

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Life-cycle

    :新产品

  • Package name

    :DFN5

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.3 x 0.8 x 0.375

  • Configuration

    :Bidirectional

  • ProtectedLines

    :4

  • Application

    :USB3.1/Thunderbolt/HDMI2.0/RF ant.

  • Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)

    :+/-5.5

  • ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)

    :5.6

  • CT (Typ.) (pF)

    :0.2

  • CT (Max) (pF)

    :0.35

  • Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)

    :+/-20

  • Dynamicresistance(Typ.) (Ω)

    :0.8

  • ReversecurrentIR (Max) (μA)

    :0.1

  • Peak pulsecurrent (Max) (A)

    :2

  • Clamp voltage (Based on IEC61000-4-5) (Typ.) (V)

    :8.5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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