DF2B6M4CT,L3F_电路保护 TVS-二极管-Toshiba Semiconductor and Storage

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厂家型号：
DF2B6M4CT,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
库存数量：
80512
类别：
电路保护 TVS-二极管
封装外壳：
SOD-882
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-25 17:30:00

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原厂料号：DF2B6M4CT,L3F品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

资料说明：TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2

DF2B6M4CT,L3F是电路保护 > TVS - 二极管。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生产封装SOD-882的DF2B6M4CT,L3FTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（瞬态电压抑制/抑制器）的首字母缩写。类型包括转向（轨至轨）或齐纳，具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

芯片型号：
df2b6m4ct,l3f
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2

产品属性

类型
描述
产品编号：
DF2B6M4CT,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5.5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
15V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
2A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
30W
电源线路保护：
无
不同频率时电容：
0.2pF @ 1MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-882
供应商器件封装：
CST2
描述：
TVS DIODE 5.5VWM 15VC CST2

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