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DF2B6.8E中文资料ESD protection diode (bi-directional type)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

DF2B6.8E

参数属性

DF2B6.8E 封装/外壳为SC-79,SOD-523;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;DF2B6.8E应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5VWM ESC

功能描述

ESD protection diode (bi-directional type)

封装外壳

SC-79,SOD-523

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-10-1 9:31:00

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DF2B6.8E规格书详情

描述 Description

Internal Connection:Single
Number of Circuits:1
AEC-Q101:Conform(*)
Number of Protected Lines:1
configuration:Bidirectional
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本 / 泰国

特性 Features

Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-8 kV

技术参数

  • 制造商编号

    :DF2B6.8E

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Package name

    :SOD-523 (ESC)

  • Width×Length×Height(mm)

    :1.6 x 0.8 x 0.6

  • Configuration

    :Bidirectional

  • ProtectedLines

    :1

  • Application

    :General-purpose

  • Working peakreverse voltageVRWM (Max) (V)

    :+/-5.0

  • ReversebreakdownvoltageVBR (Min) (V)

    :5.8

  • CT (Typ.) (pF)

    :15

  • Electrostaticdischarge voltage(Based on IEC61000-4-2) (Max) (kV)

    :+/-8

  • ReversecurrentIR (Max) (μA)

    :0.5

  • AEC-Q101

    :Qualified(*)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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