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DF2B12M1CT中文资料ESD protection diode (bi-directional type)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

DF2B12M1CT

参数属性

DF2B12M1CT 封装/外壳为SOD-882;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;DF2B12M1CT应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 8VWM 18VC CST2

功能描述

ESD protection diode (bi-directional type)

封装外壳

SOD-882

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-27 12:22:00

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DF2B12M1CT规格书详情

描述 Description

Internal Connection:Single
Number of Circuits:1
Number of Protected Lines:1
configuration:Bidirectional
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Electrostatic discharge voltage(IEC61000-4-2) VESD +/-8 kV

技术参数

  • 产品编号:

    DF2B12M1CT(TPL3)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    8V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    10V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    18V(标准)

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    1A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.3pF @ 1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOD-882

  • 供应商器件封装:

    CST2

  • 描述:

    TVS DIODE 8VWM 18VC CST2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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