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DF10中文资料顺烨电子数据手册PDF规格书

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厂商型号

DF10

功能描述

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

文件大小

177.29 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

SHUNYE

中文名称

顺烨电子

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-30 22:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    DF104B

  • 别名:

    DF10三极管、DF10晶体管、DF10晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    1KV

  • 最大电流允许值:

    2.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    1000

  • htest:

    999900

  • atest:

    2.5

  • wtest:

    50

DF10规格书详情

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 1.0 Ampere

FEATURES

◆ The plastic package carries Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

◆ Ideal for printed circuit boards

◆ Low reverse leakage

◆ High forward surge current capability

◆ High temperature soldering guaranteed:

260 °C/10 seconds,5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 型号:

    DF10

  • 功能描述:

    IGBT 模块 IGBT MODULES 1700V 1000A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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