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ECWF4514ML	文件：333.46 Kbytes Page：10 Pages	MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor Type:ECWF(L) Non-inductiveconstructionusingmetallizedpolypropylenefilmwithflameretardantepoxyresincoating. Features ●Smallsize ●Excellentfrequencycharacteristics ●Lowloss ●Flameretardantepoxyresincoating ●85°C,85RH,W.V.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECWF4514MLB	文件：338.98 Kbytes Page：10 Pages	MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ECWF4514MLL	文件：110.14 Kbytes Page：5 Pages	MetallizedPolypropyleneFilmCapacitor	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
EN4514B	文件：359.82 Kbytes Page：6 Pages	PINDiodeforVHF,UHF,AGCApplications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
HCC4514B	文件：141.35 Kbytes Page：13 Pages	RadHardenedhighvoltagecomplementaryMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4514B	文件：261.269 Kbytes Page：11 Pages	4-BITLATCH/4-TO-16LINEDECODER DESCRIPTION TheHCC4514B/HCC4515B(extendedtemperaturerange)andtheHCF4514B/HCF4515B(intermediatetemperaturerange)aremonolithicintegratedcircuitsavailablein24-leaddualin-lineplasticorceramicpackageandplasticmicropackage.TheHCC/HCF4514B/4515Bconsistingofa4-bitstrobedl	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4514B	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4514BD	文件：303.47 Kbytes Page：24 Pages	Rad-hardhighvoltageCMOSlogicseries	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4514BDG	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
HCC4514BDT	文件：336.95 Kbytes Page：16 Pages	Rad-hard,highvoltage,CMOSlogicseries Features •ESCCqualified •18VAbsolutemaximumratings •3Vto15Voperatingvoltage •Hermeticpackages •Rad-hard100krad(Si)TID •SELimmuneupto119MeV.cm²/mg •SEUimmuneupto119MeV.cm²/mg •-55°Cto+125°Ctemperaturerange •ESCCspecificationavailableonESCCwebsi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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