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DE275-102N06A

RF Power MOSFET

N-ChannelEnhancementMode LowQgandRg Highdv/dt NanosecondSwitching IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Increasedtemperatureandpowercyclingcapability •IXYSadvance

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

DE275-102N06A

包装:管件 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 描述:RF MOSFET N-CHANNEL DE275

IXYS-RF

IXYS-RF

IXYS-RF

产品属性

  • 产品编号:

    DE275-102N06A

  • 制造商:

    IXYS-RF

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 系列:

    DE

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    N 通道

  • 额定电流(安培):

    8A

  • 功率 - 输出:

    590W

  • 封装/外壳:

    6-SMD,扁平引线裸焊盘

  • 供应商器件封装:

    DE275

  • 描述:

    RF MOSFET N-CHANNEL DE275

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IxysCorpo
18+ROHS全新原装
TransMOSF
49684
专业元器件供应链只做原装长期供应小批量支持
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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IXYS
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只做进口原装,终端工厂免费送样
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IXYS/艾赛斯
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1200
全新原装现货,价格优势
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SOP8
15000
OTHER/其它 集成电路、处理器、微控制器 DE275-102N06
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更多DE275-102N06供应商 更新时间2024-6-15 13:39:00