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DE275-102N06A	文件：173.46 Kbytes Page：6 Pages	RF Power MOSFET N-ChannelEnhancementMode LowQgandRg Highdv/dt NanosecondSwitching IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Increasedtemperatureandpowercyclingcapability •IXYSadvance	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DE275-102N06A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET N-CHANNEL DE275	IXYS-RF IXYS-RF	IXYS-RF

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DE275-102N06A

文件：173.46 Kbytes

Page：6 Pages

RF Power MOSFET

N-ChannelEnhancementMode LowQgandRg Highdv/dt NanosecondSwitching IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Increasedtemperatureandpowercyclingcapability •IXYSadvance

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

DE275-102N06A

文件：100 bytes

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包装：管件封装/外壳：6-SMD，扁平引线裸焊盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：RF MOSFET N-CHANNEL DE275

IXYS-RF

产品属性

产品编号：
DE275-102N06A
制造商：
IXYS-RF
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
系列：
DE
包装：
管件
晶体管类型：
N 通道
额定电流（安培）：
8A
功率 - 输出：
590W
封装/外壳：
6-SMD，扁平引线裸焊盘
供应商器件封装：
DE275
描述：
RF MOSFET N-CHANNEL DE275

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