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ESDSLC3V3	文件：566.8 Kbytes Page：3 Pages	UltraLowCapacitanceESDTVSArray Features ■35Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) ■SOT-23package ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance ■ESDProtectionforhigh-speeddatalinesto: IEC61000-4-2±30KVcontact±30KVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)3.5A(8/2	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
ESDSUC3V3BS	文件：1.42438 Mbytes Page：3 Pages	UltraLowCapacitanceESD Features ■μs) ■ ■ ■R2R+Zenertechnology ■Lowclampingvoltage ■Lowleakagecurrent ■Ultralowcapacitance(Cj=0.3pFtyp.) ■Protectiononedata/powerlineto: IEC61000-4-2±10kVcontact±18kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)3A(8/20μs) ■RoHScomp	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FBU3V3DS	文件：731.77 Kbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateDiodes DESCRIPTION DesignedtoprotectvoltagesensitiveelectroniccomponentsfromESDandothertransients. Excellentclampingcapability,lowleakage,lowcapacitance,andfastresponsetime providebestinclassprotectionondesignsthatareexposedtoESD. Thecombinationofsmallsize,lowcap	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FESD3V3A	文件：576.35 Kbytes Page：1 Pages	ChipTVSDiode	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FESD3V3B	文件：546.43 Kbytes Page：3 Pages	LowcapacitanceESDprotection	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
FLZ3V3	文件：625.71 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLZ3V3A	文件：625.71 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLZ3V3A	文件：428.46 Kbytes Page：6 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLZ3V3B	文件：428.46 Kbytes Page：6 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FLZ3V3B	文件：625.71 Kbytes Page：8 Pages	ZenerDiodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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