DDTD113ZC-7-F_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置-龙鼎威

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厂家型号：
DDTD113ZC-7-F
制造商：
PAM/龙鼎威
库存数量：
432542
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-单预偏置
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-24 17:47:00

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原厂料号：DDTD113ZC-7-F品牌：Diodes Incorporated

资料说明：TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

DDTD113ZC-7-F是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置。制造商PAM/龙鼎威生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的DDTD113ZC-7-F晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。

芯片型号：
ddtd113zc-7-f
规格书：
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企业简称：
PAM【龙鼎威】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
资料说明：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
DDTD113ZC-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
56 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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