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DDTC113TE分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

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厂商型号

DDTC113TE

参数属性

DDTC113TE 封装/外壳为SOT-523;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

功能描述

NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

封装外壳

SOT-523

文件大小

71.54 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 11:01:00

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DDTC113TE规格书详情

DDTC113TE属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由美台半导体制造生产的DDTC113TE晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。

特性 Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary PNP Types Available (DDTA)

• Built-In Biasing Resistor, R1 Only

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free Green Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP Capable (Note 4)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DDTC113TE-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-523

  • 供应商器件封装:

    SOT-523

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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