DDTB123EC中文资料PNP TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
DDTB123EC |
参数属性 | DDTB123EC 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
功能描述 | PNP TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-29 11:46:00 |
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DDTB123EC规格书详情
简介
DDTB123EC属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置。由制造生产的DDTB123EC晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器,设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作,并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量,从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
:DDTB123EC
- 生产厂家
:Diodes
- Automotive Compliant PPAP
:No
- Product Type
:PNP
- VCEO
:50 V
- Maximum Output Current ICM
:500 mA
- Maximum PD
:200 mW
- R1 Bias Resistor (kΩ)
:2.2
- R2 Bias Resistor (kΩ)
:2.2
- Series
:R1=R2
- Packages
:SOT23
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
SOT23 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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DIODES |
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DIODES/美台 |
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