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DDTB114EC-7-F分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

DDTB114EC-7-F
厂商型号

DDTB114EC-7-F

参数属性

DDTB114EC-7-F 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

功能描述

PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

78.04 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
DIODES
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:47:00

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DDTB114EC-7-F规格书详情

特性 Features

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary NPN Types Available (DDTD)

• Built-In Biasing Resistors, R1, R2

• Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)

产品属性

  • 产品编号:

    DDTB114EC-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    56 @ 50mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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