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DDTA114GKA中文资料PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DDTA114GKA

参数属性

DDTA114GKA 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

功能描述

PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

  • 产品编号:

    DDTA114GKA-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
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NA/
12250
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