DD1200S33K2C中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

描述 Description

3300 V IHV 130mm Diode Module with Emitter Controlled 2 - Diode - The best solution for your traction and industry applications. Predestined to be combined with IGBT products.

特性 Features

• High reliability and robust module construction

优势:
• High power density for compact inverter designs
• Standardized housing

简介

DD1200S33K2C属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的DD1200S33K2C二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。