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DIODESSOT89

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深圳市东来宝电子科技有限公司

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DIODES/美台SOT-89

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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Diodes IncorporatedSOT-89-3

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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DCX55-13

DIODES/美台SOT-89

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深圳市创新迹电子有限公司

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深圳市威雅利发展有限公司

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DCX55-13

DIODESSOT89

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深圳市能创芯电子科技有限公司

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DCX55-13

DIODES/美台NA

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深圳市安富世纪电子有限公司

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DCX55-13

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DCX55-13

DIODES/美台SOT89

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DCX55-13

DIODES INC.SMD

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DCX55-13

DIODES-美台SOT-89-3

236148

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上海金庆电子技术有限公司

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DCX55-13

DIODESSOT89

15075

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深圳市安富世纪电子有限公司

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DCX55-13

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深圳市振宏微科技有限公司

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DCX55-13,SSM3J334R.LF,SI-3010KM

SOT89NA

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深圳市创新迹电子有限公司

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DCX55-13

DIODES/美台SOT-89

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DCX55-13功能描述:两极晶体管 - BJT 1000W 60Vceo RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    DCX55-13

  • 制造商：

    Diodes Incorporated

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 50mA，500mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    63 @ 150mA，2V

  • 频率 - 跃迁：

    200MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    TO-243AA

  • 供应商器件封装：

    SOT-89-3

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 1A SOT89-3

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