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K2000G	文件：3.6673 Mbytes Page：5 Pages	丝印：DB200BW；Package：DO-15；Sidac Features Excellent capability of absorbing transient surge Quick response to surge voltage (ns Level) Glass passivated junctions High voltage lcmp ignitors 文件：3.6673 Mbytes 页数：5 Pages	UNSEMI 优恩半导体	UNSEMI
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详细参数

型号：
DB200BW
功能描述：
硅对称二端开关元件 200V
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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更多DB200BW供应商更新时间2026-1-18 15:14:00

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