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DB106中文资料PDF规格书

DB106
厂商型号

DB106

参数属性

DB106 封装/外壳为4-EDIP(0.300",7.62mm);包装为散装;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器;产品描述:RECT BRIDGE 800V 1A DB

功能描述

Silicon Bridge Rectifiers

文件大小

784.05 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 9:32:00

DB106规格书详情

BREAKDOWN VOLTAGE: 6.8 --- 200 V

PEAK PULSE POWER: 1500 W

FEATURES

◇ Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

◇ Glass passivated junction

◇ 1500W peak pulse power capability with a 10/1000μs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.05

◇ Excellent clamping capability

◇ Low incremental surge resistance

◇ Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts to V(BR) for uni-directional and 5.0ns for bi-directional types

◇ For devices with V(BR) 》10V,ID are typically less than 1.0μA

◇ High temperature soldering guaranteed:265°C/ 10 seconds, 0.375(9.5mm) lead length, 51bs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    DB106

  • 制造商:

    Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 桥式整流器

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    Single Phase

  • 技术:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    4-EDIP(0.300",7.62mm)

  • 供应商器件封装:

    DB-1

  • 描述:

    RECT BRIDGE 800V 1A DB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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