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F1012

PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR

Polyfet

Polyfet RF Devices

F1012

MicroFlowSensor

WINSENZhengzhou Winsen Electronics Technology Co., Ltd.

炜盛科技郑州炜盛电子科技有限公司

FFB1012EHE

100x100x38MMSERIES

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

FL1012

ELECTRICALSPECIFICATIONS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商etc2未分类制造商

FL1012

LANDISCRETETRANSFORMERMODULES

pulse

Pulse A Technitrol Company

FL1012NL

ELECTRICALSPECIFICATIONS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

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FP1012

SILICONSURGESUPPRESSORDIODES

[LEDEX]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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FP1012A

SILICONSURGESUPPRESSORDIODES

[LEDEX]

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

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FP1012V

Highfrequency,highcurrentpowerinductors

features •Verticaldesignutilizeslessboardspace •Highcurrentcarryingcapacity •Operatingfrequencyupto3MHz •Inductancerangefrom70nHto470nH •Currentrange22Ato190A •10.0mmx6.0mmfootprintsurfacemount packagein12mmheight •Moisturesensitivitylevel(MSL

EATONEaton All Rights Reserved.

伊顿伊顿公司

FR1012

1AmpGlassPassivatedRectifier1200to2000Volts

Features •LowCost •LowLeakage •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •FastSwitchingSpeedForHighEfficiency •GlassPassivatedJunction

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    DB1012

  • 功能描述:

    桥式整流器 DIP,Bridge,SM,GP DB-S,1A,1200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay

  • 产品:

    Single Phase Bridge

  • 峰值反向电压:

    1000 V 最大 RMS

  • 正向连续电流:

    4.5 A

  • 最大浪涌电流:

    450 A

  • 正向电压下降:

    1 V

  • 最大反向漏泄电流:

    10 uA

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 长度:

    30.3 mm

  • 宽度:

    4.1 mm

  • 高度:

    20.3 mm

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    SIP-4

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI/德州仪器
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更多DB1012供应商 更新时间2025-7-22 15:01:00