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UPC8151TA	文件：448.08 Kbytes Page：54 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Lowcurrentconsumption:UPC8128TA;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TA;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TA;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Highefficiency:UPC8128TA;PO(1dB)=-4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TA;PO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8151TA	文件：138.91 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TB	文件：513.809 Kbytes Page：54 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Lowcurrentconsumption:UPC8128TB;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TB;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TB;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Highefficiency:UPC8128TB;PO(1dB)=−4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TB;PO(1dB)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8151TB	文件：1.63019 Mbytes Page：25 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8151TB	文件：593.31 Kbytes Page：27 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8151TB	文件：287.78 Kbytes Page：52 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION TheµPC8128TB,µPC8151TBandµPC8152TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellularorcordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(eg1005size)whichcannotberealizedoninternal50	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TB	文件：206.17 Kbytes Page：10 Pages	SILICONRFICLOWCURRENTAMPLIFIERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8151TB	文件：154.32 Kbytes Page：7 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50ΩwidebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8151TB	文件：138.91 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
VSC8151	文件：471.75 Kbytes Page：30 Pages	2.488Gb/sSONET/SDHSTS-48/STM-16SectionTerminator GeneralDescription TheVSC8151isa2.488Gb/sSectionTerminationdevicewhichbothmonitorsandmodifiesthesectionand lineoverheadofareceivedSONET/SDHsignal,andcangenerateAIS-Lmaintenancesignalsfortroublesec tionalization.Thesefeaturesallowallsectionterminationr	VITESSE Vitesse Semiconductor Corporation	VITESSE

详细参数

型号：
DB-8151
功能描述：
电缆组件
RoHS：
否
制造商：
Molex
产品：
Power Assemblies
类型：
Cable Assembly 连接器端口
A：
No Connector 连接器端口 A
管脚计数：
4 连接器端口
B：
No Connector 连接器端口 B
型式：
Male 线规 -
美国线规（AWG）：
20, 28
长度：
0.305 m
颜色：
Black, Red

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DB-8210A-B	DBT	23+	DIP-30	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市星佑电子有限公司	DB8210A-B	DBT	05+	原厂原装	5763	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳庞田科技有限公司	DB-8210B-B	SAMSUNG	2023+环保现货	DIP30	10	专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务	询价
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