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DAP222T1G	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAP222T1G	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAP222T1G	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	Common Anode Silicon Dual Switching Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAP222T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAN222T1	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAN222T1G	文件：49.75 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAN222T1G	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAN222T1G	文件：125.18 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSOT−416/SC−90packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •LowCD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAP222T1	文件：54.53 Kbytes Page：6 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAP222T1	文件：59.48 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
DAP222T1	文件：64.9 Kbytes Page：5 Pages	CommonAnodeSiliconDualSwitchingDiodes TheseCommonAnodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodesaredesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.TheDAP222deviceishousedintheSC−75/SOT−416packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium.TheDAP202Udeviceishou	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
FDS222T1G	文件：106.98 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode	FS First Silicon Co., Ltd
LDAN222T1	文件：143.61 Kbytes Page：3 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
LDAN222T1G	文件：485.43 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode FEATURES ●FastTrr ●LowCD ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
LDAN222T1G	文件：168.16 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
NSVDAN222T1G	文件：165 Kbytes Page：5 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeis designedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.This deviceishousedintheSOT−416/SC−75packagewhichisdesigned forlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisatapremium. Features •Fasttrr •Lo	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
S-LDAN222T1G	文件：168.16 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode ThisCommonCathodeSiliconEpitaxialPlanarDualDiodeisdesignedforuseinultrahighspeedswitchingapplications.ThisdeviceishousedintheSC–89packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications,whereboardspaceisataprem	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司
S-LDAN222T1G	文件：485.43 Kbytes Page：4 Pages	CommonCathodeSiliconDualSwitchingDiode FEATURES ●FastTrr ●LowCD ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

产品属性

产品编号：
DAP222T1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管配置：
1 对共阳极
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
100mA（DC）
速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
工作温度 - 结：
150°C（最大）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-75，SOT-416
供应商器件封装：
SC-75，SOT-416
描述：
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC75

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DAP222T1G供应商更新时间2024-4-26 20:23:00

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