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DAP222M3T5G分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

DAP222M3T5G

参数属性

DAP222M3T5G 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT723

功能描述

Common Anode Silicon Dual Switching Diodes
DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT723

封装外壳

SOT-723

文件大小

49.61 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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更新时间

2025-12-10 20:14:00

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DAP222M3T5G规格书详情

DAP222M3T5G属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由安森美半导体制造生产的DAP222M3T5G二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

Common Anode Silicon Dual Switching Diodes

These Common Anode Silicon Epitaxial Planar Dual Diodes are designed for use in ultra high speed switching applications. The DAP222 device is housed in the SOT−723 package which is designed for low power surface mount applications, where board space is at a premium.

• Fast trr

• Low CD

• ESD Performance: Human Body Model; 2000 V,

​​​​​​​ Machine Model 200 V

• Available in 4 mm Tape and Reel

• This is a Pb−Free Device

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DAP222M3T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阳极

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    100mA(DC)

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    SOT-723

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SOT723

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