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DAM90N30D	文件：242.81 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：242.81 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
DAM90N30G	文件：245.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：245.53 Kbytes 页数：4 Pages	DACO 罡境电子	DACO
FGA90N30	文件：787.79 Kbytes Page：8 Pages	300V PDP IGBT Description Employing Unified IGBT Technology, FGA90N30 provides low conduction and switching loss. FGA90N30 offers the optimum solution for PDP applications where low condution loss is essential. Features • High Current Capability • Low saturation voltage: VCE(sat), Typ = 1.1V@ IC = 文件：787.79 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FGA90N30D	文件：833.24 Kbytes Page：9 Pages	300V PDP IGBT Description Employing Unified IGBT Technology, FGA90N30D provides low conduction and switching loss. FGA90N30D offers the optimum solution for PDP applications where low condution loss is essential. Features • High Current Capability • Low saturation voltage: VCE(sat), Typ = 1.1V@ IC 文件：833.24 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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