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DAM50N60C	文件：277.47 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DAM50N60G	文件：234.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
DTGN50N60	文件：1.47824 Mbytes Page：10 Pages	Extremelyenhancedavalanchecapability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergy efficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK Din-Tek Semiconductor	DINTEK
FGA50N60LS	文件：493.84 Kbytes Page：7 Pages	IGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW50N60H	文件：645.08 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FGW50N60HD	文件：646.63 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FGW50N60VD	文件：671.72 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/50A	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
G50N60F	文件：176.19 Kbytes Page：9 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
G50N60HS	文件：355.61 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -verytigh	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IGB50N60T	文件：648.1 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多DAM50N60C供应商更新时间2025-5-21 16:06:00

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