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IRFB16N60LPBF	文件：2.71112 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB16N60LPBF	文件：182.52 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFB16N60LPBF	文件：195.94 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP16N60	文件：295.76 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=16A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=470mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXSA16N60	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXSP16N60	文件：48.39 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)IGBT-ShortCircuitSOACapability	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXZR16N60	文件：169.47 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56Ω PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Incre	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXZR16N60A	文件：169.47 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56Ω PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Incre	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXZR16N60B	文件：169.47 Kbytes Page：4 Pages	Z-MOSRFPowerMOSFET VDSS=600V ID25=18A RDS(on)≤0.56Ω PDC=350 LowCapacitanceZ-MOSTMMOSFETProcess OptimizedforRFOperation IdealforClassC,D,&EApplications Features •IsolatedSubstrate −highisolationvoltage(>2500V) −excellentthermaltransfer −Incre	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SCT16N60FD	文件：361.22 Kbytes Page：6 Pages	Triac	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DAM1A27	HITACHI/日立	23+	DIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	DAM1MA10	HITACHI/日立	20+	SOD-106	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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