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EKI-1222I	文件：428.43 Kbytes Page：2 Pages	1-portModbusGateway	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
EKI-1222I-SC	文件：470.41 Kbytes Page：2 Pages	1-portModbusGatewaywithFiberandWT Features 1x10/100MbpsEthernetportsand1x100MbpsFiberport IntegratesModbusTCPandModbusRTU/ASCIInetworks Supportsupto921.6kbpsandanybaudratesetting Supportsupto16connectionsperserialportunderModbusmastermode and32sessionsunderModbusslavemod	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
EKI-1222I-SC-A	文件：470.41 Kbytes Page：2 Pages	1-portModbusGatewaywithFiberandWT Features 1x10/100MbpsEthernetportsand1x100MbpsFiberport IntegratesModbusTCPandModbusRTU/ASCIInetworks Supportsupto921.6kbpsandanybaudratesetting Supportsupto16connectionsperserialportunderModbusmastermode and32sessionsunderModbusslavemod	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
EKI-1222R	文件：572.16 Kbytes Page：2 Pages	1-portModbusGateway/Router Features IntegratesModbusTCPandModbusRTU/ASCIInetworks Supportsupto921.6kbpsandanybaudratesetting Supportsupto16connectionsperserialportunder32sessionsunder Modbusslavemode ProvideshighsecureaccesstunnelwithVPN Software-selectableRS-232/422/4	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
F1222	文件：38.69 Kbytes Page：2 Pages	PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
GP1222	文件：767.73 Kbytes Page：2 Pages	CellsPerUnit6VoltagePerUnit12	CSB-BATTERYCSB Battery Co., Ltd. 希世比能源希世比能源科技股份有限公司	CSB-BATTERY
GP1222	文件：549.83 Kbytes Page：2 Pages	generalpurposebatteryupto5	CSB-BATTERYCSB Battery Co., Ltd. 希世比能源希世比能源科技股份有限公司	CSB-BATTERY
HSB1222A	文件：279.16 Kbytes Page：1 Pages	SPEAKERSOUNDGENERATORS	JLWORLD JL World Company Limited.	JLWORLD
ISFM1222	文件：548.64 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=600mΩ(Max)@VGS=20V DESCRIPTION ·DC-DCConverters ·BatteryChargers ·DCChoppers ·CurrentRegulators	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KA1222	文件：162.44 Kbytes Page：4 Pages	DUALLOWNOISEEQUALIZERAMPLIFIER DUALLOWNOISEEQUALIZERAMPLIFIER	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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