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DA112S1数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

DA112S1

参数属性

DA112S1 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;DA112S1应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 15VWM 8-SOIC

功能描述

二极管阵列
TVS DIODE 15VWM 8-SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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DA112S1规格书详情

描述 Description

Array of 8 or 12 diodes configured by cells of 2 diodes, each cell being used to protect signal line from transient overvoltages by clamping action.

As maximum voltage of each diode is 18 V, maximum input voltage range between two I/Os is either 0 V to 18 V (REF1 = 0 V and REF2 = +18 V) or -9 V to +9 V (REF1 = -9 V and REF2 = +9 V)

特性 Features

• Array of 8 or 12 diodes
• Suitable for digital line protection
• Low input capacitance

简介

DA112S1属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的DA112S1TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DA112S1

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Directionality

    :Uni-Directional

  • Number of protected lines_nom

    :6

  • Breakdown Voltage_min(V)

    :1.2

  • Capacitance_typ(pF)

    :35

  • IEC 61000-4-2_min(Contact Discharge)(kV)

    :8

  • IEC 61000-4-2_min(Air Discharge)(kV)

    :15

  • Stand-off voltage_nom(V)

    :15

  • Package size(mm)

    :6.0 x 4.9

  • Leakage Current_max(µA)

    :2

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