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D8V0X1B2LP-7B电路保护的TVS-二极管规格书PDF中文资料

厂商型号 |
D8V0X1B2LP-7B |
参数属性 | D8V0X1B2LP-7B 封装/外壳为0402(1006 公制);包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;D8V0X1B2LP-7B应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 8VWM 18.5VC DFN1006-2 |
功能描述 | 8V ULTRA LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE |
封装外壳 | 0402(1006 公制) |
文件大小 |
267.76 Kbytes |
页面数量 |
5 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
中文名称 | 美台半导体官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 22:59:00 |
人工找货 | D8V0X1B2LP-7B价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
D8V0X1B2LP-7B
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
电路保护 > TVS - 二极管
- 包装:
卷带(TR)
- 类型:
齐纳
- 电压 - 反向断态(典型值):
8V(最大)
- 电压 - 击穿(最小值):
10V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):
18.5V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):
4A
- 电源线路保护:
无
- 应用:
通用
- 不同频率时电容:
0.35pF @ 1MHz
- 工作温度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
0402(1006 公制)
- 供应商器件封装:
X1-DFN1006-2
- 描述:
TVS DIODE 8VWM 18.5VC DFN1006-2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
DFN10062(SOD882) |
7350 |
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