首页>D8V0H1B2LP>规格书详情

D8V0H1B2LP中文资料LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE数据手册Diodes规格书

PDF无图
厂商型号

D8V0H1B2LP

参数属性

D8V0H1B2LP 封装/外壳为0402(1006 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;产品描述:TVS DIODE DFN1006-2

功能描述

LOW CAPACITANCE BIDIRECTIONAL TVS DIODE
TVS DIODE DFN1006-2

封装外壳

0402(1006 公制)

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-11-25 20:00:00

人工找货

D8V0H1B2LP价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

D8V0H1B2LP规格书详情

简介

D8V0H1B2LP属于电路保护的TVS-二极管。由Diodes制造生产的D8V0H1B2LPTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :D8V0H1B2LP

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Configuration

    :Single(uni-directional)

  • Channel Input Capacitance CT Typ

    :55 pF

  • Reverse Standoff Voltage VRWM

    :8 V

  • Breakdown Voltage VBR Min

    :8.5 V

  • Typ Reverse Leakage Current IR @ VRWM Max

    :0.2 µA

  • Maximum Peak Pulse Current IPP @ 8x20μs Max

    :20 A

  • Maximum Clamping Voltage @ Max Peak Pulse Current VC

    :17.5 V

  • VESD IEC61000-4-2 Contact Discharge

    :30 kV

  • Packages

    :X1-DFN1006-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Diodes(美台)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
DIODES/美台
23+
X1-DFN1006-2
12700
买原装认准中赛美
询价
SXSEMI
24+
X3-DFN0603-2
900000
原装进口特价
询价
Diodes(美台)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
Diodes
25+
NA
60000
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单
询价
DIODES/美台
24+
X1-DFN1006-2
25000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价
DIODES/美台
25+
DFN0603-2
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
DIODES/美台
21+
X1-DFN1006-2
8080
只做原装,质量保证
询价
DIODES/美台
23+
NA
12730
原装正品代理渠道价格优势
询价
DIODES(美台)
24+
DFN10062(SOD882)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价