isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 4.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.5Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：320.75 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

-

INTEL(英特尔)

上传：深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

上传：深圳市盈慧通电子有限公司

DIP

NEC

瑞萨

上传：深圳市千科宇科技有限公司

DIP40

INTEL

英特尔

上传：深圳市瑞卓芯科技有限公司