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UPA867TS-A	文件：213.31 Kbytes Page：8 Pages	NPNSILICONSiGeRFTWINTRANSISTOR NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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NPNSILICON+SiGeRFTRANSISTOR(WITH2DIFFERENTELEMENTS) INA6-PINSUPERLEAD-LESSMINIMOLD(1007PKG) FEATURES •2differentbuilt-intransistors(2SC5435,NESG2107M33) Q1:Highgaintransistor fT=12.0GHzTYP.,S21e2=11dBTYP.@VCE=3V,IC=10mA,f=2GHz Q2:Built-inl

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