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D850N36T数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

D850N36T

参数属性

D850N36T 封装/外壳为DO-200AB,B-PUK;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 3.6KV 850A

功能描述

Rectifier Diodes
DIODE GEN PURP 3.6KV 850A

封装外壳

DO-200AB,B-PUK

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:07:00

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D850N36T规格书详情

特性 Features


优势:
• 可靠性高,可以大幅度地减少维护并减少停机
• 通过串联和并联的特殊设计,轻松实现系统功率调节

应用 Application

• 电机控制和驱动

简介

D850N36T属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的D850N36T二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :D850N36T

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IFAVM/TC[A/°C] @180° el sin

    :850/100

  • Housing

    :Disc dia 58mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration

    :Rectifier Diodes

  • VF/IF[V/kA] @Tvj max

    :2.62/3.5

  • VT0[V] @Tvj max max

    :0.84

  • rT[mΩ] @Tvj max max

    :0.49

  • Tvj[°C] max

    :160

  • RthJC[K/kW] @180° el sin max

    :38

  • Clamping force[kn] min

    :10

  • Clamping force[kn] max

    :24

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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