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D67437	文件：468.68 Kbytes Page：15 Pages	RF Power LDMOS Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs These 32 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz. Features  Designed for Wide Instantaneous Bandwidt 文件：468.68 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
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更多D67437供应商更新时间2025-10-14 11:19:00