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D65005C198	文件：658.41 Kbytes Page：11 Pages	3-MICROON CMOS GATE ARRAYS Description The μD65000 (CMOS-2) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 3-micron silicon gate CMOS technology. The basic cell on the chip consists of four transistors, two P-channel and two N-channel, with double-layer metal Interconnects. Features 文件：658.41 Kbytes 页数：11 Pages	NEC 瑞萨	NEC
D65005CF548	文件：658.41 Kbytes Page：11 Pages	3-MICROON CMOS GATE ARRAYS Description The μD65000 (CMOS-2) series of gate arrays are low-power, high-speed devices featuring 3-micron silicon gate CMOS technology. The basic cell on the chip consists of four transistors, two P-channel and two N-channel, with double-layer metal Interconnects. Features 文件：658.41 Kbytes 页数：11 Pages	NEC 瑞萨	NEC
D65005C198	文件：300 bytes Page：1 Pages	3-MICROON CMOS GATE ARRAYS	Renesas 瑞萨	Renesas
D65005CF548	文件：300 bytes Page：1 Pages	(UPD65000 Series) 3-MICRON CMOS Gate Arrays	Renesas 瑞萨	Renesas

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更多D65005供应商更新时间2025-12-23 16:30:00