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D5N50	文件：289.99 Kbytes Page：6 Pages	500V,5A N-Channel MOSFET 文件：289.99 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
D5NE60C	文件：1.32922 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.32922 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
D5NE60C	文件：1.32901 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.32901 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
D5NE60C	文件：1.32871 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.32871 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
D5NE60C	文件：1.3336 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.3336 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
D5NE60C	文件：1.33094 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.33094 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
D5NE60C	文件：1.32836 Mbytes Page：13 Pages	丝印：D5NE60C；Package：TO-252；4.5A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：1.32836 Mbytes 页数：13 Pages	WXDH 东海半导体	WXDH
D5NE847M0P1K9	文件：1.05062 Mbytes Page：11 Pages	SAW/FBAR DEVICES for MOBILE COMMUNICATIONS 文件：1.05062 Mbytes 页数：11 Pages	TAIYO-YUDEN 太阳诱电	TAIYO-YUDEN
D5NF878M0P1ET	文件：1.05062 Mbytes Page：11 Pages	SAW/FBAR DEVICES for MOBILE COMMUNICATIONS 文件：1.05062 Mbytes 页数：11 Pages	TAIYO-YUDEN 太阳诱电	TAIYO-YUDEN
D5NL782M0P1JZ	文件：1.05062 Mbytes Page：11 Pages	SAW/FBAR DEVICES for MOBILE COMMUNICATIONS 文件：1.05062 Mbytes 页数：11 Pages	TAIYO-YUDEN 太阳诱电	TAIYO-YUDEN

产品属性

产品编号：
SN74LVC2G132YZPR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 门和反相器
系列：
74LVC
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
逻辑类型：
与非门
输入数：
2
特性：
施密特触发器
电压 - 供电：
1.65V ~ 5.5V
电流 - 输出高、低：
32mA，32mA
逻辑电平 - 低：
0.39V ~ 1.87V
逻辑电平 - 高：
1.16V ~ 3.33V
不同 V、最大 CL 时最大传播延迟：
5ns @ 5V，50pF
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-DSBGA（1.9x0.9）
封装/外壳：
8-XFBGA，DSBGA
描述：
IC GATE NAND 2CH 2-INP 8DSBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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