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D475N36B数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

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厂商型号

D475N36B

参数属性

D475N36B 封装/外壳为DO-205AA,DO-8,接线柱;包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 3.6KV 475A

功能描述

可控硅/二极管Discs
DIODE GEN PURP 3.6KV 475A

封装外壳

DO-205AA,DO-8,接线柱

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 19:45:00

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D475N36B规格书详情

描述 Description

The D475N Rectifier Diode discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed housings.

特性 Features

·High current
·High blocking voltage
·Light-triggered types available
·Highest robustness
·Highest reliability
·High case non rupture current capability

简介

D475N36B属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的D475N36B二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    D475N36BXPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    散装

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    475A

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    接线柱安装

  • 封装/外壳:

    DO-205AA,DO-8,接线柱

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 160°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 3.6KV 475A

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