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D4600U45X172中文资料4500 V IGCT/IGBT - 续流二极管圆盘数据手册Infineon规格书

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厂商型号

D4600U45X172

参数属性

D4600U45X172 封装/外壳为DO-200AE;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GP 4500V 4450A D17226K-1

功能描述

4500 V IGCT/IGBT - 续流二极管圆盘
DIODE GP 4500V 4450A D17226K-1

封装外壳

DO-200AE

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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D4600U45X172规格书详情

描述 Description

IGCT/IGBT - 续流二极管 4500 V、4600 A,直径 120 毫米,陶瓷外壳。IGBT 的超软续流二极管以我们现有的 IGCT 续流二极管系列为基础。续流二极管是 HVDC 电压源转换器和中压驱动器等现代 IGBT 应用的完美选择。

特性 Features

• 完全阻断能力 50/60 Hz

• 高直流阻断稳定性

• 高浪涌电流能力

• 高外壳不断裂电流

• 软关断行为

应用 Application

• 电力传输和配电

简介

D4600U45X172属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的D4600U45X172二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :D4600U45X172

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IFAVM/TC [A/°C](@180° el sin)

    :4780/55

  • rT [mΩ](@Tvj max) max

    :0.3

  • RthJC [K/kW](@DC) max

    :3.3

  • Tvj [°C]max

    :140

  • VF/IF [V/kA](@Tvj max)

    :2.0/2.5

  • VR(D) [kV](@TC = 25°)

    :2.8

  • VRRM [V]

    :4500

  • VRRMmax

    :4500 V

  • VT0 [V](@Tvj max) max

    :1.25

  • Clamping force [kn]

    :50 to 130

  • Housing

    :Disc dia 172 mm height 26mm / Ceramic

  • Configuration

    :IGCT/IGBT - Freewheeling Diodes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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BGD17226K1
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