D45H11FP数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
D45H11FP |
参数属性 | D45H11FP 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 80V 10A TO220FP |
功能描述 | 互补功率晶体管 |
封装外壳 | TO-220-3 整包 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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D45H11FP规格书详情
描述 Description
These low voltage transistors are housed in fully isolated TO-220FP packages and form a complementary pair. They are manufactured in multi epitaxial planar technology for general purpose in linear and switching applications.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage
• Fast switching speed
简介
D45H11FP属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的D45H11FP晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:D45H11FP
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220FP
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:80
- Collector-Base Voltage_max(V)
:80
- Collector Current_max(A)
:10
- Dc Current Gain_min
:40
- Test Condition for hFE (IC)
:4
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:1
- VCE(sat)_max(V)
:1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:8
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:400
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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